LED 디스플레이 스크린의 순수 반도체의 에너지 레벨은 온도가 절대 제로일 때, 전체 대역의 전자는 금지된 밴드를 통과하여 전도대에 들어갈 충분한 에너지를 갖지 못하므로 절연 상태에 있다. 온도가 증가함에 따라, 일반적으로 실온에서 일부 전자는 금지 된 밴드를 통과하여 전도대에 도달하는 에너지를 가지며, 공석을 떠나 구멍을 형성하여 약한 전도성, 즉 고유 전도성을 나타냅니다.
불순물이 LED 디스플레이 화면의 반도체 재료에 도핑 된 후, 도너 불순물의 에너지 레벨은 전도대에 가깝고 수용체 불순물의 에너지 레벨은 전체 대역에 가깝습니다. 도너 불순물의 전자는 전도대에 쉽게 들어갈 수 있으며, 수용체 불순물은 전체 대역에서 전자를 쉽게 얻어 정공을 형성하기 위해 전체 대역에서 전자를 얻을 수 있습니다. PN 접합부에 순방향 전압이 인가되면, 접합 장벽의 저하로 인해 전자가 N형 반도체로부터 P형 반도체로 들어가고, 정공은 P형 반도체로부터 N형 반도체로 들어가 소수 캐리어의 주입을 형성한다. .
LED에 주입 된 소수 캐리어의 재결합으로 에너지는 높은 에너지 레벨에서 낮은 에너지 레벨로 되돌아 가고, 방출 된 에너지는 다양한 형태로 변환 될 수 있으며, 가장 일반적인 것은 열 에너지의 형태로 방출됩니다. 회로 관점에서 볼 때, 방출된 에너지는 PN 접합부의 순방향 전류 및 순방향 전압에 시간을 곱한 곱과 같습니다. 일부 반도체 재료는 소수 캐리어가 재결합하기 위해 주입 될 때 빛의 형태로 에너지를 방출하여 반도체 발광을 초래합니다.
LED 디스플레이 반도체 발광은 두 가지 유형으로 더 나눌 수 있는데, 하나는 전자가 전도대에서 전체 대역으로 직접 전이되어 정공과 재결합하여 빛을 방출하는 것이고, 다른 하나는 불순물 수준에서 재결합하고, 전도대 내의 전자가 먼저 전이되는 것이다. 기증자 불순물 수준으로, 그것은 간접 방출이라고합니다. LED 디스플레이 장치는 주로 간접 발광 도체 재료로 만들어집니다.
