칩 온보드(ChipOnBoard, COB) 공정: 먼저 기판 표면에 열전도성 에폭시 수지(보통은 입자가 도핑된 에폭시 수지)를 사용하여 실리콘 칩 배치 지점을 덮은 다음 실리콘 칩을 연결하여 배치합니다. 기판의 표면에 실리콘 웨이퍼의 솔리드 패턴이 기판에 설정될 때까지 열처리한 다음 실크 마스터의 방법을 사용하여 실리콘 웨이퍼와 기판 사이에 5개의 전기적 연결을 주입합니다.
루 칩 기술은 주로 두 가지 형태가 있습니다. 하나는 COB 기술이고 다른 하나는 인버티드 칩 기술입니다. 칩 온보드 패키징(COB). 반도체 칩은 인쇄회로기판에 실장된다. 칩과 기판 사이의 전기적 연결이 스티칭됩니다. 이 방법을 구현하고 수지 웜 커버를 사용하여 신뢰성을 보장합니다. COB는 매우 간단한 보리 칩 실장 기술이지만 패키징 밀도는 TAB 및 플립 칩 본딩 기술보다 훨씬 열등합니다.
COB의 용접 방법
(1) 뜨거운 프레스 미끼
영국식 가열과 압력을 이용하여 와이어와 용접부가 함께 눌러지도록 합니다. 원리는 가열 및 압력을 통해 분할 영역(예: AI)을 소성 변형시키는 동시에 조각 경계면의 산화물 구름을 파괴하여 원자 사이의 인력이 달성되도록 하고 [GG ] quot;본딩 7" 성취됐다. 어, 두 금속 외부의 요철은 가열 및 가압 시 상부 및 하부 금속을 서로 끼워 넣을 수 있습니다. 이 기술은 일반적으로 유리판의 칩용 COG로 사용됩니다.
⑵) 초음파 평가
초음파 Huan은 초음파 발생에 의해 생성 된 에너지 스택을 사용하고 에너지 변환기를 통해 초고주파 자기장의 유도하에 급속한 팽창 및 수축이 탄성 덮개 운동을 생성하므로 Nu 칼이 상응하게 저항됩니다. , 그리고 동시에, Nu 칼 위에 일정량의 압력이 추가되므로 이 두 힘의 결합된 작용에 따라 칼은 애도 구역에서 AI 와이어의 금속화된 구름을 구동합니다. (AI 췌장) 표면이 빠르게 급증하여 A 와이어 및 AI 필름 공격 표면이 소성 변형을 생성합니다. 이 변형은 AI 클라우드 인터페이스에서 산화물 구름도 파괴하여 두 개의 순수한 금속 표면이 밀접하게 접촉하여 달성 원자 사이의 결합을 통해 미끼 연결을 형성합니다. 미끼 연결의 주요 재료는 일반적으로 잔디 모양의 알루미늄 와이어 용접 헤드입니다.
(3) 골드 와이어 p
볼 애도는 현재의 반도체 다이오드와 3극관 패키징이 모두 AU 와이어 볼을 사용하고 있기 때문에 와이어 본더 중 가장 공격적인 용접 기술 중 하나입니다. 또한 작업이 더 편리하고 유연하며 솔더 조인트가 상대적으로 견고하며(상호 직경 25UM의 AU 와이어의 용접 강도는 일반적으로 0.07~0.09N 점) 방향성이 없으며 용접 속도 초당 15포인트 이상에 도달할 수 있습니다. 골드 와이어 미끼는 열(압력)(울트라) 어쿠스틱 미끼라고도 합니다. 주요 접합 재료는 금(AU) 와이어입니다. 머리는 구형이므로 공 애도라고도합니다.
